晶圆键合系统

集群芯片到晶圆键合系统（Collective Die to Wafer Bonding system）

该系统是将芯片P&Ps在器件晶圆的正面，然后一次压合以提高生产率的群键合设备，并采用热压芯片键合将芯片电连接。

另一个系统配置有用于两步过程的设备。 即，在将芯片P&P转移到载具晶圆的正面后，将载具晶圆上的芯片与其他器件晶圆的芯片对准并暂时键合的Aligner & Pre-bonderer，以及通过热压或热压进行键合的共晶主键合机。 激光加热方式。

电连接是通过使用低熔点电极的凸块到电极或电极到电极共晶接合来实现的。

特征

    1、对齐和预粘合后的后粘合；

    2、电极金属/凸块：Cu、Au、Sn、CuSn、AuSn、AgSn；

    3、自动平行度调整功能：压制均匀性极佳；

    4、防震结构；

规格

    1、晶圆尺寸：最大 12 英寸；

    2、真空或大气压下的对准器和预粘合器；

            对位精度：≤±2um

            产能：15 片/小时

    3、后键合机（组键合机）:

            热压晶圆键合机的产能：3 晶圆/小时

            激光共晶接合机的产能：20 片/小时